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高纯硒系列
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高纯硒

 我公司生产的99.99%以上的高纯硒,已应用在CuInGaSSe太阳能电池材料;同时广泛应用在电子材料上,如硒半导体、硒整流器、激光打印机用硒鼓等方面。 CIGSSe薄膜太阳能电池中的薄膜主要有5种材料合成,其中高纯硒的含量在90%以上。 CIGSSe薄膜太阳能电池原材料避开了紧缺的晶体硅,它的薄膜厚度只有2微米(晶体硅电池200微米),材料消耗很少。CIGSSe薄膜材料电池对可见光的吸收系数是其他薄膜电池中最高的,从而成为转换效率最高的薄膜电池,它的材料成本只有晶体硅电池的一半,而能耗不到晶体硅电池的三分之一。 在规模化生产的太阳能电池中,CIGSSe薄膜太阳电池的同功率组件发电量是最高的,也就是能量回收期最短。它的回收期只有一年,非晶硅太阳电池1年半,晶体硅是2年以上。CIGSSe薄膜太阳电池能适应高宇宙射线辐射,特殊气象条件等恶劣环境,长期稳定性是各种电池中****的。CIGSSe薄膜太阳能电池使用过程中热斑效应小,在阴天、太阳初升或西斜等小角度入射等情况下仍然具有良好的发电性能,而晶体硅电池在弱光或光线小角度入射情况下发电能力急剧下降。
思达牌99.999%硒锭 思达牌99.999%硒粒
思达牌99.999%硒粉 思达牌99.99%硒粉

 高纯硒(99.99%~99.999%)
(1)用于远红外玻璃、光学镜片等领域:
a.杂质含量(不大于100ppm):

Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni
1 2 2 0.5 0.5 2 2 5 3 10 5 0.5
Mn Fe S Sn As CL、Br          
5 9 10 5 20 1 0          
b、目数:200目
c、包装:真空封装。
(2)用于化合物半导体材料、太阳能光伏电池等领域 :
a、杂质含量(不大于50ppm):
Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni
0.06 0.1 0.06 0.2 0.2 0.5 0.2 0.4 0.1 0.5 0.3 0.5
Mn Fe S Si Ti In Sb B Sn As CL Br
0.2 1 2 1 0.3 0.005 0.2 0.3 3 1 0.5 0.5
b、目数:200目~325目。
c、包装:真空封装。
(3)用于电子材料等领域:
a、杂质含量(不大于10ppm):
Ag Bi Cd Co Ga Te Mg AL Cu P Pb Ni
0.05 0.1 0.06 0.2 0.14 0.5 0.2 0.4 0.1 0.5 0.3 0.5
Mn Fe S Si Ti In Sb B Sn As CL Br
0.2 1 2 0.5 0.3 0.005 0.2 0.3 0.3 1 0.5 0.5
b、目数:325目~1000目。
c、包装:真空封装。